第一代半導體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表，主要應用在數(shù)據(jù)運算領域，奠定了微電子產(chǎn)業(yè)基礎。第二代半導體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表，主要應用于通信領域，用于制作高性能微波、毫米波及發(fā)光器件，奠定了信息產(chǎn)業(yè)基礎。隨著技術發(fā)展和應用需要的不斷延伸，二者的局限性逐漸體現(xiàn)出來，難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求?！ ∫蕴蓟?…
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工研院業(yè)科技國際策略發(fā)展所于4日指出，中國臺灣IC產(chǎn)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破4兆元，達新臺幣4.1兆元，較2020全年成長25.9%，大幅高于全球市場平均。同時，IC設計業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破兆元，達1.20兆元，成長40.7% 工研院表示，2020年全球受到新冠肺炎疫情影響，全球經(jīng)濟從實體經(jīng)濟轉換為在線經(jīng)濟與零接觸活動，無論是在線購物、在線咨詢、在線會議、在線課程等，延續(xù)到202…
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1、IGBT模塊結構 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成，芯片之間通過鋁導線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，最后用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。 從上之下它依次由芯片，DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構成，上下兩…
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芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補強，提高電子產(chǎn)品的機械性能和可靠性。根據(jù)芯片組裝的要求，討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法?！ 〉寡b焊連接技術是目前半導體封裝的主流技術。倒裝芯片連接引線短，焊點直接與印刷線路板或其它基板焊接，引線電感小，信號間竄擾小，信號傳輸延時短，電性能好，是互連中延時*短、寄生效應*小的一種互連方法。這些優(yōu)點使得倒裝芯片在便攜式設備…
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第三代半導體也稱為寬禁帶半導體，不同于傳統(tǒng)的半導體主要賴硅晶圓，它在材料層面上實現(xiàn)了更新。而與第一代、第二代半導體并非替代關系，而是形成互補，三者特性各異、用途不同?！ 【唧w來看，第一代半導體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主，是CPU處理器等集成電路主要運用的材料;第二代半導體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等，目前手機所使用的關鍵通信芯片都采用這類材料制作?！ 〉谌雽w材料主要是…
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封裝的工序比較復雜，大概有十幾道工序，有磨片、劃片......磨片就是讓圓片背面減薄，適應封裝需要;劃片就是通過金屬刀片，讓晶圓能夠一粒一粒地分割出來;裝片就是通過導電膠，讓芯片跟引線框固定起來;鍵合就是通過芯片的pad與框架之間實現(xiàn)電路導通;塑封就是把產(chǎn)品包裝起來。希望您在閱讀本文后有所收獲，歡迎在評論區(qū)發(fā)表見解和想法。ELT封裝除泡機 IC Package (IC的封裝形式)Packag…
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在IC領域，存在著三種經(jīng)營模式，IDM、Fabless和Foundry模式，曾經(jīng)最具市場號召力和受關注程度的IDM模式，隨著半導體芯片垂直化，集約化的加劇，成本和運營壓力額不斷攀升，全球范圍內(nèi)幾乎很少堅持IDM道路的經(jīng)營模式了?！ 》炊?，專注于單項領域的設計，或代加工模式，在近年來得到了飛速發(fā)展，其中Foundry模式，因其更低創(chuàng)新壓力，和穩(wěn)定可靠的訂單加持，更是成為了眾多IC大廠轉型的重要…
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在全球缺芯的大背景下，半導體成為當前最熱門的版塊之一，硅片價格不斷攀升、供應缺口持續(xù)增大，再生晶圓乘風而起，勢不可擋，引起行業(yè)高度重視。9月17日下午3點28分，安徽富樂德長江半導體12英寸再生晶圓項目量產(chǎn)儀式在銅陵市義安經(jīng)開區(qū)隆重舉行。銅陵市人民政府市長孔濤，市委常委、常務副市長何田，市人民政府秘書長古勁松，中共義安區(qū)委書記汪發(fā)進，義安區(qū)區(qū)長姚貴平、國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會中國區(qū)總裁居龍，中國電子…
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底部填充膠空洞產(chǎn)生的原因 ◥流動型空洞 流動型空洞(其中還存在著幾種類型)，都是在underfill底部填充膠流經(jīng)芯片和封裝下方時產(chǎn)生，兩種或更多種類的流動波陣面交會時包裹的氣泡會形成流動型空洞?！ ×鲃有涂斩串a(chǎn)生的原因 ?、倥c底部填充膠施膠圖案有關。在一塊BGA板或芯片的多個側面進行施膠可以提高underfill底填膠流動的速度，但是這也增大了產(chǎn)生空洞的幾率。 ?、跍囟葧绊懙降撞刻畛淠z…
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