接上篇：70種IC芯片封裝類型匯總，值得收藏（上） 35、P-(plastic) 表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP?！ ?6、PAC(pad array carrier) 凸點(diǎn)陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)?！ ?7、PCLP(printed circuit board leadless package) 印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)采…
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芯片的封裝類型太多了，這里總結(jié)了70多種常見的芯片封裝。希望能讓你對封裝有一個大概的了解?！ ?、BGA(ball grid array) 球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝?！ 》庋b本體也可做…
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01 什么是底部填充膠? 底部填充膠的應(yīng)用原理是利用毛細(xì)作用使得膠水迅速流過BGA芯片底部芯片底部，其毛細(xì)流動的最小空間是10um。底部填充膠簡單來說就是底部填充之義,常規(guī)定義是一種用化學(xué)膠水(主要成份是環(huán)氧樹脂)對BGA 封裝模式的芯片進(jìn)行封裝模式的芯片進(jìn)行底部填充，利用加熱的固化形式，將BGA 底部空隙大面積 (一般覆蓋一般覆蓋80%以上)填滿，從而達(dá)到加固的目的，增強(qiáng)BGA 封裝模式的…
查看詳情 衡量集成電路塑料封裝體的質(zhì)量指標(biāo)有很事，本文儀對封裝過程小，塑封體的表面和內(nèi)部產(chǎn)生氣泡的原因進(jìn)行分析，氣泡的產(chǎn)生不僅使塑封體強(qiáng)度降低，而且耐濕性、電絕緣性能大大降低，對集成電路安全使用的可靠性將產(chǎn)生很大的影響。情況嚴(yán)重的將導(dǎo)致集成電路制造失敗，對于電器的使用留下安全隱患?！ ∷芊怏w氣孔或氣泡問題的分析 塑封體的表面或內(nèi)部存在的氣泡或氣孔是—種質(zhì)量缺陷。產(chǎn)生這種缺陷的問題有：①塑封料沒有保管好…
查看詳情 1、日月光ASE 中國日月光是全球*大的外包半導(dǎo)體組裝和測試制造服務(wù)供應(yīng)商，占有30%的市場份額，其總部設(shè)在中國臺灣高雄，由張頌仁兄弟于1984年創(chuàng)立?！ ∪赵鹿鉃槿?0%以上的電子公司提供半導(dǎo)體組裝和測試服務(wù)。封裝服務(wù)包括扇出晶圓級封裝(FO-WLP)，晶圓級 芯片級封裝(WL-CSP)，倒裝芯片，2.5D和3D封裝，系統(tǒng)級封裝(SiP)和銅引線鍵合等。 該公司的主要業(yè)務(wù)在中國臺灣…
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封裝的失效機(jī)理可以分為兩類：過應(yīng)力和磨損。過應(yīng)力失效往往是瞬時的、災(zāi)難性的;磨損失效是長期的累積損壞，往往首先表示為性能退化，接著才是器件失效。失效的負(fù)載類型又可以分為機(jī)械、熱、電氣、輻射和化學(xué)負(fù)載等?！ ∮绊懛庋b缺陷和失效的因素是多種多樣的， 材料成分和屬性、封裝設(shè)計(jì)、環(huán)境條件和工藝參數(shù)等都會有所影響。確定影響因素和預(yù)防封裝缺陷和失效的基本前提。影響因素可以通過試驗(yàn)或者模擬仿真的方法來確…
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以往，汽車的動力、材質(zhì)、外形往往是汽車發(fā)展的主要方向，也是車廠和用戶*為看重的要素。如今，隨著汽車電子化程度的提升以及汽車智能化，網(wǎng)絡(luò)化浪潮的來臨，車內(nèi)半導(dǎo)體數(shù)量猛增， 預(yù)計(jì)到2025年，汽車電子成本會占到整車成本的一半左右。半導(dǎo)體芯片已成為推動汽車產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重要力量之一。 同時，用戶體驗(yàn)成為了人們關(guān)注的重點(diǎn)。例如，作為用戶交互*重要載體，車內(nèi)屏幕的進(jìn)化從來都沒有停下來過，傳統(tǒng)的儀表盤、…
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傳統(tǒng)半導(dǎo)體封裝的七道工序 晶圓切割首先將晶片用薄膜固定在支架環(huán)上，這是為了確保晶片在切割時被固定住，然后把晶元根據(jù)已有的單元格式被切割成一個一個很微小的顆粒，切割時需要用去離子水冷卻切割所產(chǎn)生的溫度，而本身是防靜電的?！ 【A粘貼晶圓粘貼的目的將切割好的晶元顆粒用銀膏粘貼在引線框架的晶元廟上，用粘合劑將已切下來的芯片貼裝到引線框架的中間燥盤上。通常是環(huán)氧(或聚酰亞胺)用作為填充物以增加粘合劑…
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化合物半導(dǎo)體市場SiC功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰(zhàn) New challenge 01 引線鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來的問題 引線鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開關(guān)速度可以更快，因而電壓和電流隨時間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大，這會對驅(qū)動電壓的波形帶來過沖和震蕩，會引起開關(guān)損耗的增加，嚴(yán)重時甚至?xí)鸸β势骷恼`開關(guān)，因此 SiC …
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