智能時代，芯片在我們的生活中無所不在，一顆芯片的誕生，需要經(jīng)過晶圓制造和芯片成品制造兩大階段?！ 【A制造過程非常復(fù)雜，需要經(jīng)歷曝光、蝕刻、離子注入、金屬填充、研磨等一系列步驟后，晶圓上的集成電路才能最終成型?！ ∪欢A本身是“脆弱”且“封閉”的，無法直接使用，只有經(jīng)過封裝和測試流程，才能最終生產(chǎn)出獨(dú)立、連通、可靠的芯片成品?！ ∧敲?，芯片究竟是怎樣被封裝的呢? 我們首先介紹一種技術(shù)成熟、…
查看詳情
韓國《首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)》表示，盡管明年全球經(jīng)濟(jì)將放緩，三星電子仍計(jì)劃明年在其最大半導(dǎo)體工廠增加芯片產(chǎn)能。據(jù)稱，三星 2023 年存儲器和系統(tǒng)半導(dǎo)體的晶圓產(chǎn)能提高約 10%?！ I(yè)內(nèi)消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設(shè)備，12 英寸晶圓月產(chǎn)能可達(dá) 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產(chǎn)能提高 3 萬片(共 10 萬)，高于目前 P3 廠 DRAM 產(chǎn)線的每月 2…
查看詳情
毛細(xì)管底部填充(CUF)工藝與塑封底部填充(MUF)工藝對比 傳統(tǒng)底部填充料中二氧化硅等填料的質(zhì)量含量一般在 50%~70%之間，而塑封底部填充料申二氧化硅的質(zhì)量含量高達(dá) 80%。同時因?yàn)楣に嚨奶攸c(diǎn)，塑封底部填充料要求一氧化硾的尺寸更小。塑封底部填充技術(shù)與傳統(tǒng)底部填充技術(shù)相比，對工藝進(jìn)行了簡化，同時提高了生產(chǎn)效率及封裝的可靠性，可以滿足不斷發(fā)展的市場整體產(chǎn)品需求?！ ≌繳nderfil…
查看詳情
近幾個月，全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務(wù)提供商長電科技宣布，公司在先進(jìn)封測技術(shù)領(lǐng)域又取得新的突破，實(shí)現(xiàn)4納米(nm)工藝制程手機(jī)芯片的封裝，以及CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝。 4納米芯片是5納米之后、3納米之前*先進(jìn)的硅節(jié)點(diǎn)技術(shù)，也是導(dǎo)入小芯片(Chiplet)封裝的一部分。作為集成電路領(lǐng)域的頂尖科技產(chǎn)品之一，4納米芯片可被應(yīng)用于智能手機(jī)、5G通信、人工智能、自動駕駛，以及包括GPU…
查看詳情
硅錠直徑從20世紀(jì)50年代初期的不到25mm增加到現(xiàn)在的300mm，硅片直徑的歷史發(fā)展趨勢如圖所示。 目前生產(chǎn)直徑為75mm、100mm、125mm和150mm的硅片的設(shè)備仍在使用中，由于把設(shè)備升級成能生產(chǎn)更大直徑的硅片需要花費(fèi)上億美元，所以最常見的做法是在建設(shè)新工廠時才引入新的硅片直徑。在2000年左右，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始轉(zhuǎn)向300mm直徑的硅片，進(jìn)而把對硅片直徑的評估測試已經(jīng)提高到400mm…
查看詳情
以Underfill為例，在CSP、BGA、POP、Flip chip等工藝中中底部填充是封裝技術(shù)中關(guān)鍵的工藝流程之一。簡單來說，底部填充工藝(underfill)是將環(huán)氧樹脂膠水點(diǎn)涂在倒裝晶片邊緣，液體通過氣液界面處的毛細(xì)作用滲透到狹窄的間隙中，這一過程稱為微毛細(xì)管流動。倒裝芯片封裝中，將底部填充環(huán)氧樹脂填充到芯片和基板之間的間隙中，以防止焊料凸點(diǎn)上的裂縫和熱疲勞導(dǎo)致的電氣故障。硅芯片和…
查看詳情
1.本技術(shù)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓輔助切割裝置及晶圓壓膜機(jī)?！ ”尘凹夹g(shù)： 2.晶圓(wafer)是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品?！ ?.晶圓必須經(jīng)過壓膜才能進(jìn)行后續(xù)曝光、顯影等工藝。在壓膜過程中，先將單一芯片放置在用臨時鍵合材料或熱釋放膠帶(trt)處理過的襯底上，然后…
查看詳情 在LED生產(chǎn)中很可能會產(chǎn)生的問題是芯片封裝時，杯內(nèi)汽泡佔(zhàn)有很大的不良比重，但是產(chǎn)品在制作過程中如果汽泡問題沒有得到很好的解決或防治，就會造成產(chǎn)品衰減加快的一個因素，從而會表現(xiàn)出IV降低、IR變大、VF升高。那麼，氣泡的存在和膠的攪拌充分與否有關(guān)係?攪拌結(jié)束后抽真空是否徹底有多大關(guān)係?環(huán)境的溫度和濕度對氣泡產(chǎn)生是否有較大的影響?是不是點(diǎn)膠方式存在問題也會對氣泡的比重有關(guān)係?下面我們僅從業(yè)內(nèi)人士給…
查看詳情 隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大發(fā)展，越來越多的產(chǎn)品制程需要采用貼合、底部填充膠、灌注封膠或涂覆膠等工藝。但是在上述工藝制程中，貼合面、膠水或銀漿中經(jīng)常會產(chǎn)生氣泡或空洞，導(dǎo)致產(chǎn)品密封性差、散熱性差，嚴(yán)重影響產(chǎn)品可靠性、一致性，降低良率，甚至造成電子元器件功能失效，發(fā)生質(zhì)量事故。如何有效消除制程中的氣泡呢?臺灣ELT20年專注半導(dǎo)體封裝氣泡解決方案，推出的真空壓力除泡烤箱，除泡快、潔凈度高、操作簡便。 …
查看詳情
