硅通孔封裝(Through Silicon Via, TSV)互連是集成電路中一種系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)的新方法，是2.5D和3D封裝中堆疊芯片實(shí)現(xiàn)互連的關(guān)鍵技術(shù)解決方案?！ SV可堆疊多片芯片，在芯片鉆出小洞，從底部填充入金屬, 硅晶圓上以蝕刻或激光方式鉆孔，再以導(dǎo)電材料如銅、多晶硅、鎢等物質(zhì)填滿。TSV能夠使芯片在三維方向堆疊，通過(guò)垂直互連減小互聯(lián)長(zhǎng)度，減小信號(hào)延遲，降低芯片的電容和電感，實(shí)…
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在使用光刻膠時(shí)，我們往往會(huì)遇到氣泡的問(wèn)題，而且氣泡的存在往往會(huì)直接影響光刻質(zhì)量，因此我們需要搞清楚氣泡產(chǎn)生的原因和怎樣消除氣泡帶來(lái)的不良影響。光刻膠的氣泡產(chǎn)生的因素是多種多樣的，想要搞清楚氣泡產(chǎn)生的原因，我們需要按照出現(xiàn)(或者發(fā)現(xiàn))氣泡產(chǎn)生的環(huán)節(jié)進(jìn)行分析，接下來(lái)我們按照涂膠烘烤過(guò)程、曝光過(guò)程來(lái)介紹幾種常見(jiàn)的氣泡產(chǎn)生原因和消除方法： 旋涂光刻膠時(shí)發(fā)現(xiàn)氣泡 在涂布光刻膠前如果光刻膠瓶子有搖動(dòng)或…
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晶圓級(jí)真空壓膜機(jī)是一種高精度的加工設(shè)備，通常被用于半導(dǎo)體工業(yè)中的制造過(guò)程。該設(shè)備采用真空技術(shù)和壓力控制技術(shù)對(duì)物料進(jìn)行加工和涂覆，從而獲得更高質(zhì)量的半導(dǎo)體材料和元器件。目前市面上有許多品牌的晶圓級(jí)真空壓膜機(jī)，本文將為您介紹其中幾個(gè)比較知名的品牌以及性能特點(diǎn)，幫助您了解選購(gòu)時(shí)應(yīng)該考慮哪些因素。 晶圓級(jí)真空壓膜機(jī)的工作原理 晶圓級(jí)真空壓膜機(jī)主要由真空系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、物料夾持系統(tǒng)、涂…
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而得益于新型導(dǎo)電材料的發(fā)展，應(yīng)用于電子線路板生產(chǎn)制造的EAMP?技術(shù)日趨成熟，“材料+工藝”配套技術(shù)已實(shí)現(xiàn)全面突破，生產(chǎn)產(chǎn)品完成各端驗(yàn)證，當(dāng)下已經(jīng)發(fā)展成為一種滿足商業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)、可大規(guī)模應(yīng)用的生產(chǎn)手段。同時(shí)，這種新型線路板級(jí)電子增材制造(EAMP?)技術(shù)的出現(xiàn)，可有效應(yīng)對(duì)當(dāng)前電子制造業(yè)面臨的難題。接下來(lái)，我們將深入探討線路板級(jí)EAMP?技術(shù)及其優(yōu)勢(shì)?！ 【€路板級(jí)電子增材制造(EAMP?)技術(shù) 線…
查看詳情 電子元件長(zhǎng)期在高溫、高濕等環(huán)境下運(yùn)轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其性能惡化，甚至可能會(huì)被破壞。因而，需要采用有效的封裝方式，不斷提高封裝材料的性能，才能使得電子元件在外界嚴(yán)苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性。 一、三大封裝材料統(tǒng)領(lǐng)封裝領(lǐng)域 電子封裝材料組成分來(lái)看，主要分為金屬基、陶瓷基和塑料基封裝材料?！ √沾?、塑料、金屬三大封裝材料陶瓷封裝在高致密封裝中具有較大發(fā)展?jié)摿Γ瑢儆跉饷苄苑庋b。主要材料有Al2O3、AI…
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WLCSP(Wafer-Level Chip-Scale Package)是一種將晶圓級(jí)封裝(WLP)和芯片尺寸封裝(CSP)合為一體的封裝技術(shù)。芯片尺寸封裝(CSP)是指整個(gè)package的面積相比于silicon總面積不超過(guò)120%的封裝技術(shù)。該技術(shù)有效促進(jìn)集成電路的小型化，但是其不適合服務(wù)器級(jí)處理器的應(yīng)用。晶圓級(jí)封裝(WLP)是指在晶圓前道工序完成后，直接對(duì)晶圓進(jìn)行封裝，再切割分離成…
查看詳情 臺(tái)積電的庫(kù)存去化時(shí)間將比原先預(yù)期更長(zhǎng)。由于總體經(jīng)濟(jì)不佳和市場(chǎng)需求疲弱，庫(kù)存去化可能要到今年第三季才能結(jié)束。雖然受到庫(kù)存調(diào)整的持續(xù)影響，不含存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、晶圓代工產(chǎn)業(yè)以及臺(tái)積電本身的營(yíng)收都將衰退，但臺(tái)積電的表現(xiàn)仍將優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平?！ hatGPT的走紅引起了AI風(fēng)潮，業(yè)界關(guān)注ChatGPT效應(yīng)是否有助于晶圓代工廠商的后續(xù)發(fā)展。魏哲家表示，ChatGPT確實(shí)對(duì)庫(kù)存去化有所幫助，但目前能預(yù)…
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焊點(diǎn)中空洞形成的機(jī)理多年來(lái)一直是研究的主題。已經(jīng)確定了許多空洞類(lèi)型和形成機(jī)制。最引人注目的是大空洞，大空洞形成的主要因素似乎是焊膏中的化學(xué)成分?！ ∥⒖斩础⑹湛s空洞和Kirkendall空洞也是眾所周知的和備有證據(jù)的空洞類(lèi)型，但不屬于本文的討論范圍。多年來(lái)已建立了許多減少空洞形成的技術(shù)?！ ≌{(diào)整焊膏化學(xué)成分、回流焊溫度曲線、組件、PCB 和模板設(shè)計(jì)或涂飾，是當(dāng)前正在廣泛使用的一些優(yōu)化工具?！?/p> 查看詳情
先進(jìn)晶圓級(jí)封裝技術(shù)，主要包括了五大要素： 01 晶圓級(jí)凸塊(Wafer Bumping)技術(shù) 02 扇入型(Fan-In)晶圓級(jí)封裝技術(shù) 03 扇出型(Fan-Out)晶圓級(jí)封裝技術(shù) 04 2.5D 晶圓級(jí)封裝技術(shù)(包含IPD) 05 3D 晶圓級(jí)封裝技術(shù)(包含IPD) 晶圓凸塊(Wafer Bumping)，顧名思義，即是在切割晶圓之前，于晶圓的預(yù)設(shè)位置上形成或安裝焊球(亦稱凸塊…
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