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SiC芯片功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰(zhàn)

SiC芯片功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰(zhàn)

  化合物半導(dǎo)體市場SiC功率模塊封裝技術(shù)的新挑戰(zhàn)  New challenge  01 引線鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來的問題  引線鍵合和復(fù)雜的內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)帶來較大的寄生電容和寄生電感。SiC 功率芯片的開關(guān)速度可以更快,因而電壓和電流隨時(shí)間的變化率(dv/dt 和di/dt)就更大,這會(huì)對驅(qū)動(dòng)電壓的波形帶來過沖和震蕩,會(huì)引起開關(guān)損耗的增加,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)鸸β势骷恼`開關(guān),因此 SiC …

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常用電子封裝基板的分類及特點(diǎn)

常用電子封裝基板的分類及特點(diǎn)

  第一代半導(dǎo)體以硅 (Si)、鍺 (Ge) 材料為代表,主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)運(yùn)算領(lǐng)域,奠定了微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體以砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表,主要應(yīng)用于通信領(lǐng)域,用于制作高性能微波、毫米波及發(fā)光器件,奠定了信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。隨著技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需要的不斷延伸,二者的局限性逐漸體現(xiàn)出來,難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求。  以碳化硅 …

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2021年中國臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值將首度突破兆元

2021年中國臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值將首度突破兆元

  工研院業(yè)科技國際策略發(fā)展所于4日指出,中國臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破4兆元,達(dá)新臺(tái)幣4.1兆元,較2020全年成長25.9%,大幅高于全球市場平均。同時(shí),IC設(shè)計(jì)業(yè)2021年產(chǎn)值將首度突破兆元,達(dá)1.20兆元,成長40.7%    工研院表示,2020年全球受到新冠肺炎疫情影響,全球經(jīng)濟(jì)從實(shí)體經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)換為在線經(jīng)濟(jì)與零接觸活動(dòng),無論是在線購物、在線咨詢、在線會(huì)議、在線課程等,延續(xù)到202…

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Underfill(底部填充膠)的功能與應(yīng)用

Underfill(底部填充膠)的功能與應(yīng)用

  Underfill(底部填充膠)的功能與應(yīng)用  1:為什么要用底填膠?  解決PCBA上的一個(gè)關(guān)鍵問題,CSP/BGA存在的隱患-應(yīng)力集中;  1) 熱應(yīng)力  因?yàn)樾酒突牡木€性膨脹系數(shù)(CTE)不一樣,在冷熱循環(huán)測試時(shí),高CTE和低CTE的材料之膨脹系數(shù)之差會(huì)導(dǎo)至焊球受到相互的約束,使其不能完全自由脹縮,而發(fā)生形變,終導(dǎo)致焊點(diǎn)斷裂;  2)機(jī)械應(yīng)力  結(jié)合應(yīng)用端的使用情況,一些如PCB板材…

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IGBT模塊結(jié)構(gòu)及封裝失效原因

IGBT模塊結(jié)構(gòu)及封裝失效原因

  1、IGBT模塊結(jié)構(gòu)  IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,最后用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示?! 纳现滤来斡尚酒?,DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(通常選用銅)三部分組成。DBC由三層材料構(gòu)成,上下兩…

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封裝基板和三級封裝

封裝基板和三級封裝

  封裝基板和封裝分級  從硅圓片制作開始,微電子封裝可分為0、1、2、3四個(gè)等級,涉及上述六個(gè)層次,封裝基板(PKG基板或Substrate)技術(shù)現(xiàn)涉及1、2、3三個(gè)等級和2~5的四個(gè)層次?! 》庋b基板主要研究前3個(gè)級別的半導(dǎo)體封裝(1、2、3級封裝),0級封裝暫與封裝基板無關(guān),因此封裝基板一般是指用于1級2級封裝的基板材料,母板(或載板)、剛撓結(jié)合板等用于三級封裝?! 》庋b基板和三級封裝  零…

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芯片底部填充膠的工藝要求及缺陷分析

芯片底部填充膠的工藝要求及缺陷分析

  芯片底部填充膠主要用于CSP/BGA 等倒裝芯片的補(bǔ)強(qiáng),提高電子產(chǎn)品的機(jī)械性能和可靠性。根據(jù)芯片組裝的要求,討論了底部填充膠在使用中的工藝要求以及缺陷分析方法?! 〉寡b焊連接技術(shù)是目前半導(dǎo)體封裝的主流技術(shù)。倒裝芯片連接引線短,焊點(diǎn)直接與印刷線路板或其它基板焊接,引線電感小,信號(hào)間竄擾小,信號(hào)傳輸延時(shí)短,電性能好,是互連中延時(shí)*短、寄生效應(yīng)*小的一種互連方法。這些優(yōu)點(diǎn)使得倒裝芯片在便攜式設(shè)備…

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8英寸碳化硅晶圓 第三代半導(dǎo)體工藝

8英寸碳化硅晶圓 第三代半導(dǎo)體工藝

  第三代半導(dǎo)體也稱為寬禁帶半導(dǎo)體,不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體主要賴硅晶圓,它在材料層面上實(shí)現(xiàn)了更新。而與第一代、第二代半導(dǎo)體并非替代關(guān)系,而是形成互補(bǔ),三者特性各異、用途不同?! 【唧w來看,第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為主,是CPU處理器等集成電路主要運(yùn)用的材料;第二代半導(dǎo)體包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,目前手機(jī)所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類材料制作。  第三代半導(dǎo)體材料主要是…

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IC半導(dǎo)體封裝工藝介紹

IC半導(dǎo)體封裝工藝介紹

  封裝的工序比較復(fù)雜,大概有十幾道工序,有磨片、劃片......磨片就是讓圓片背面減薄,適應(yīng)封裝需要;劃片就是通過金屬刀片,讓晶圓能夠一粒一粒地分割出來;裝片就是通過導(dǎo)電膠,讓芯片跟引線框固定起來;鍵合就是通過芯片的pad與框架之間實(shí)現(xiàn)電路導(dǎo)通;塑封就是把產(chǎn)品包裝起來。希望您在閱讀本文后有所收獲,歡迎在評論區(qū)發(fā)表見解和想法。ELT封裝除泡機(jī)  IC Package (IC的封裝形式)Packag…

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